LND150N3-G-P002

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

30 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1 kOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

740 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erschöpfung

Verpackung:

Spule

Höhe:

5.33 mm

Länge:

5.21 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.19 mm

Marke:

Mikrochip-Technologie

Abfallzeit:

1300 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

450 ns

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

100 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

90 ns

Gewichtseinheit:

0.016000 oz

Tags

LND150N3-G-P, LND150N3-G, LND150N3, LND150N, LND150, LND15, LND1, LND