FDT55AN06LA0

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-4

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

12.1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

46 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

8.9 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.8 mm

Länge:

6.5 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.5 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

12 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

24 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

23 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Gewichtseinheit:

0.003951 oz

Tags

FDT5, FDT