DMP1009UFDF-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

U-DFN2020-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

12 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

11 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

8.3 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

44 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

61 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

10.6 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

62.2 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7 ns

Gewichtseinheit:

0.000247 oz

Tags

DMP100, DMP10, DMP1, DMP