IRFR3704ZPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

60 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

9.2 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

9.3 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

48 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

2.3 mm

Länge:

6.5 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

HEXFET Leistungs-MOSFET

Breite:

6.22 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

41 S

Abfallzeit:

12 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

8.9 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

4.9 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

41 ns

Teil # Aliase:

SP001556964

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

IRFR3704Z, IRFR3704, IRFR370, IRFR37, IRFR3, IRFR, IRF