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TK380P60Y,RQ

TK380P60Y,RQ
Mfr. #:
TK380P60Y,RQ
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 80W 590pF 9.7A
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TK380P60Y,RQ Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
TK380P60Y,RQ DatasheetTK380P60Y,RQ Datasheet (P4-P6)TK380P60Y,RQ Datasheet (P7-P9)TK380P60Y,RQ Datasheet (P10)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
TK380P60Y,RQ Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
DPAK-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
600 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
9.7 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
290 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
3 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Qg - Gate-Ladung:
20 nC
Minimale Betriebstemperatur:
-
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
80 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
DTMOSV
Verpackung:
Spule
Serie:
TK380P60Y
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
Toshiba
Abfallzeit:
8.2 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
23 ns
Werkspackungsmenge:
2000
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
150 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
60 ns
Tags
TK380P60, TK380P, TK380, TK38, TK3
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***
Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
***et
Power MOSFET N-Channel 600V 9.7A 3-Pin DPAK T/R
***
600V N-CH DTMOSIV 80W
DTMOS V Super Junction MOSFETs
Toshiba DTMOS V Super Junction MOSFETs are the next generation of N-channel, deep trench semiconductor technology for high-efficient power MOSFETs. The DTMOS V operates with lower EMI noise, and a 17% reduction On Resistance RDS(ON) compared to the DTMOS IV MOSFETs. The DTMOS V has a deep trench etching process, that results in a narrowing of cell pitch, and a lowering of RDS(ON) when compared with more conventional planar processes. DTMOS V Super Junction MOSFETs are ideal to improve the performance, and facilitate the design of power conversion applications. Applications that include switching power supplies, power factor correction (PFC) designs, and LED lighting. Learn More
Bild Teil # Beschreibung
744917095

Mfr.#: 744917095

OMO.#: OMO-744917095

 Fixed Inductors WE-KIHC SMD WW Idctr 9.5nH 39A 0.053Ohms
ESP-WROOM-02

Mfr.#: ESP-WROOM-02

OMO.#: OMO-ESP-WROOM-02

 WiFi Modules (802.11) SMD Module, ESP8266EX, 16Mbits SPI flash, UART Mode
MFP-25BRD52-33K

Mfr.#: MFP-25BRD52-33K

OMO.#: OMO-MFP-25BRD52-33K

 Metal Film Resistors - Through Hole 0.1% 25ppm 33K ohm
744917060

Mfr.#: 744917060

OMO.#: OMO-744917060

 Fixed Inductors WE-KIHC SMD WW Idctr 6nH 39A 0.036Ohms
744917072

Mfr.#: 744917072

OMO.#: OMO-744917072

 Fixed Inductors WE-KIHC SMD WW Idctr 7.2nH 38A 0.07Ohms
ESP32-GATEWAY

Mfr.#: ESP32-GATEWAY

OMO.#: OMO-ESP32-GATEWAY

 Networking Development Tools ESP32-GATEWAY
ESP-WROOM-02

Mfr.#: ESP-WROOM-02

OMO.#: OMO-ESP-WROOM-02-ESPRESSIF-SYSTEMS

 SMD MODULE, ESP8266EX, 16MBITS S
DRV8886PWPR

Mfr.#: DRV8886PWPR

OMO.#: OMO-DRV8886PWPR-TEXAS-INSTRUMENTS

 IC MTR DRV BIPOLR 8-37V 24HTSSOP
CP081030-M

Mfr.#: CP081030-M

OMO.#: OMO-CP081030-M-CUI

 PELTIER, 10 X 10 X 3 MM, 0.8 A,
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
1984
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Menge
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ext. Preis
1
1,41 $
1,41 $
10
1,13 $
11,30 $
100
0,99 $
98,70 $
500
0,76 $
382,50 $
1000
0,60 $
604,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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