A3T21H456W23SR6

A3T21H456W23SR6
Mfr. #:
A3T21H456W23SR6
Hersteller:
NXP Semiconductors
Beschreibung:
RF MOSFET Transistors RF PWR LDMOS TRNSTR 2110-2200 MHz 87W30V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
A3T21H456W23SR6 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
A3T21H456W23SR6 Mehr Informationen A3T21H456W23SR6 Product Details
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
NXP
Produktkategorie:
HF-MOSFET-Transistoren
RoHS:
Y
Polarität des Transistors:
Dualer N-Kanal
Technologie:
Si
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
1.6 A, 3.6 A
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
- 500 mV, 65 V
Gewinnen:
15.5 dB
Ausgangsleistung:
87 W
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
ACP-1230S-4L2S
Verpackung:
Spule
Arbeitsfrequenz:
2110 MHz to 2200 MHz
Serie:
A3T21H456
Typ:
HF-Leistungs-MOSFET
Marke:
NXP Semiconductors
Anzahl der Kanäle:
2 Channel
Produktart:
HF-MOSFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
150
Unterkategorie:
MOSFETs
Vgs - Gate-Source-Spannung:
- 6 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
0.8 V, 1.4 V
Teil # Aliase:
935371527128
Tags
A3T21H45, A3T21H4, A3T21, A3T2, A3T
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Bild Teil # Beschreibung
A3T21H450W23SR6

Mfr.#: A3T21H450W23SR6

OMO.#: OMO-A3T21H450W23SR6

RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 87 W Avg., 30 V
A3T21H456W23SR6

Mfr.#: A3T21H456W23SR6

OMO.#: OMO-A3T21H456W23SR6

RF MOSFET Transistors RF PWR LDMOS TRNSTR 2110-2200 MHz 87W30V
A3T21H400W23SR6

Mfr.#: A3T21H400W23SR6

OMO.#: OMO-A3T21H400W23SR6

RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 71 W Avg., 28 V
A3T21H455W23SR6

Mfr.#: A3T21H455W23SR6

OMO.#: OMO-A3T21H455W23SR6

RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 87 W Avg., 30 V
A3T21H450W23SR6

Mfr.#: A3T21H450W23SR6

OMO.#: OMO-A3T21H450W23SR6-NXP-SEMICONDUCTORS

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A3T21H455W23SR6

Mfr.#: A3T21H455W23SR6

OMO.#: OMO-A3T21H455W23SR6-NXP-SEMICONDUCTORS

FORECAST ACP1230S-4L2L
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
2500
Menge eingeben:
Der aktuelle Preis von A3T21H456W23SR6 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Beginnen mit
Top