DMN3270UVT-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSOT-26-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

270 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

350 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

5 V, - 500 mV

Qg - Gate-Ladung:

3.07 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.08 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

674 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

205 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

1470 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

163 ns

Gewichtseinheit:

0.000459 oz

Tags

DMN32, DMN3, DMN