ZXTP25012EFHTA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

12 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

12 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

7 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

4 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

310 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

ZXTP250

DC-Stromverstärkung hFE Max:

500 at 10 mA, 2 V

Höhe:

1.02 mm

Länge:

3.04 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.4 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

500 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 50 at 4 A, 2 V

Pd - Verlustleistung:

1810 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

ZXTP25012, ZXTP2501, ZXTP250, ZXTP25, ZXTP2, ZXTP, ZXT