MMDF2N02ER2G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOIC-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

25 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

100 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.5 mm

Länge:

5 mm

Transistortyp:

2 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

4 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2.6 S

Abfallzeit:

25 ns, 18 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

35 ns, 17 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

19 ns, 27 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns, 7 ns

Gewichtseinheit:

0.006596 oz

Tags

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