FDBL86561-F085

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

H-PSOF-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

300 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.2 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

170 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

429 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

PowerTrench

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.4 mm

Länge:

10.48 mm

Serie:

FDBL86561_F085

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.9 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

41 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

61 ns

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

80 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

45 ns

Teil # Aliase:

FDBL86561_F085

Gewichtseinheit:

0.029983 oz

Tags

FDBL865, FDBL8, FDBL, FDB