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TK380P65Y,RQ

TK380P65Y,RQ
Mfr. #:
TK380P65Y,RQ
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 80W 590pF 9.7A
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TK380P65Y,RQ Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
TK380P65Y,RQ DatasheetTK380P65Y,RQ Datasheet (P4-P6)TK380P65Y,RQ Datasheet (P7-P9)TK380P65Y,RQ Datasheet (P10)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
TK380P65Y,RQ Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
DPAK-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
650 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
9.7 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
290 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
3 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Qg - Gate-Ladung:
20 nC
Minimale Betriebstemperatur:
-
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
80 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
DTMOSV
Verpackung:
Spule
Serie:
TK380P65Y
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
Toshiba
Abfallzeit:
8.2 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
23 ns
Werkspackungsmenge:
2000
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
150 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
60 ns
Tags
TK380P65, TK380P, TK380, TK38, TK3
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
***et
Power MOSFET N-Channel 650V 9.7A 3-Pin DPAK T/R
DTMOS V Super Junction MOSFETs
Toshiba DTMOS V Super Junction MOSFETs are the next generation of N-channel, deep trench semiconductor technology for high-efficient power MOSFETs. The DTMOS V operates with lower EMI noise, and a 17% reduction On Resistance RDS(ON) compared to the DTMOS IV MOSFETs. The DTMOS V has a deep trench etching process, that results in a narrowing of cell pitch, and a lowering of RDS(ON) when compared with more conventional planar processes. DTMOS V Super Junction MOSFETs are ideal to improve the performance, and facilitate the design of power conversion applications. Applications that include switching power supplies, power factor correction (PFC) designs, and LED lighting. Learn More
Bild Teil # Beschreibung
STF26N60DM6

Mfr.#: STF26N60DM6

OMO.#: OMO-STF26N60DM6

 MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM6 Power MOSFET in TO-220FP package
STF17N80K5

Mfr.#: STF17N80K5

OMO.#: OMO-STF17N80K5

 MOSFET N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
STF17N80K5

Mfr.#: STF17N80K5

OMO.#: OMO-STF17N80K5-STMICROELECTRONICS

 MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
1986
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1,40 $
10
1,12 $
11,20 $
100
0,86 $
86,10 $
500
0,76 $
380,50 $
1000
0,60 $
600,00 $
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