IRFHS9351TR2PBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PQFN-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

170 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

1.9 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.4 W

Aufbau:

Dual

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.9 mm

Länge:

2 mm

Transistortyp:

2 P-Channel

Breite:

2 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2.4 S

Abfallzeit:

7.9 nS

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

30 nS

Werkspackungsmenge:

400

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

6.3 nS

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8.3 nS

Teil # Aliase:

SP001572664

Gewichtseinheit:

0.017637 oz

Tags

IRFHS935, IRFHS9, IRFHS, IRFH, IRF