2SA1812T100Q

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 400 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 400 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 7 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

- 1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

12 MHz

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

270

Höhe:

1.5 mm

Länge:

4.5 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

2.5 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 0.5 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

82

Pd - Verlustleistung:

2 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

2SA1812T, 2SA1812, 2SA181, 2SA18, 2SA1, 2SA