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GA04JT17-247

GA04JT17-247
Mfr. #:
GA04JT17-247
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 500mO-4A
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
GA04JT17-247 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
GeneSiC Halbleiter
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
SiC
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-247-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
1.7 kV
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
4 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
480 mOhms
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
91 W
Aufbau:
Single
Verpackung:
Rohr
Serie:
GA04
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
GeneSiC Halbleiter
Abfallzeit:
50 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
28 ns
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
73 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
30 ns
Gewichtseinheit:
0.225401 oz
Tags
GA04, GA0
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ical
Trans JFET N-CH 1700V 4A SiC Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247AB
***p One Stop Global
Trans JFET N-CH 1700V 4A SiC 3-Pin(3+Tab) TO-247AB
***i-Key
TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB
***nell
SIC SUPER JUNCTION TRANSISTOR, TO-247AB; Breakdown Voltage Vbr:-; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:0.2 A; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:10 A; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-; Transistor Type:JFET; MSL:-
***ark
SIC SUPER JUNCTION TRANSISTOR, TO-247AB; Breakdown Voltage Vbr:-; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:0.2�A; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:10�A; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-; Transistor Type:JFET; MSL:- RoHS Compliant: Yes
***ment14 APAC
Prices include import duty and tax. SIC SUPER JUNCTION TRANSISTOR, TO-247AB; Breakdown Voltage Vbr:-; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:0.2 A; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:10 A; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-; Transistor Type:JFET; MSL:-
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
GA04JT17-247
DISTI # 19515598		GeneSic Semiconductor IncTrans JFET N-CH 1700V 4A SiC 3-Pin(3+Tab) TO-247AB
RoHS: Compliant		104
  • 3:$21.9500
GA04JT17-247
DISTI # 1242-1134-ND		GeneSic Semiconductor IncTRANS SJT 1700V 4A TO-247AB
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		28In Stock
  • 120:$26.7364
  • 30:$28.7670
  • 10:$31.3050
  • 1:$33.8400
GA04JT17-247
DISTI # 46W2772		GeneSic Semiconductor IncSIC SUPER JUNCTION TRANSISTOR, TO-247AB,Breakdown Voltage Vbr:-,Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:0.2µA,Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:10µA,Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-,Transistor Type:JFET,MSL:- RoHS Compliant: Yes104
  • 1:$17.5600
GA04JT17-247
DISTI # 905-GA04JT17-247		GeneSic Semiconductor IncMOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 500mO-4A
RoHS: Compliant		0
  • 630:$23.9900
GA04JT17-247
DISTI # 2280263		GeneSic Semiconductor IncSIC SUPER JUNCTION TRANSITOR, TO-247AB
RoHS: Compliant		104
  • 1:£19.5300
GA04JT17-247
DISTI # 2280263		GeneSic Semiconductor IncSIC SUPER JUNCTION TRANSISTOR, TO-247AB
RoHS: Compliant		104
  • 1:$53.9400
  • 10:$49.9000
  • 30:$45.8600
  • 120:$42.6200
Bild Teil # Beschreibung
GA04JT17-247

Mfr.#: GA04JT17-247

OMO.#: OMO-GA04JT17-247

 MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 500mO-4A
GA04JT17-247

Mfr.#: GA04JT17-247

OMO.#: OMO-GA04JT17-247-GENESIC-SEMICONDUCTOR

 IGBT Transistors MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 500mO-4A
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
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