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FDP19N40

FDP19N40
Mfr. #:
FDP19N40
Hersteller:
ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 400V 19A TO-220
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
FDP19N40 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
FSC
Produktkategorie
FETs - Einzeln
RoHS
Einzelheiten
Montageart
Durchgangsloch
Paket / Koffer
TO-220-3
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Transistor Polarität
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung
400 V
ID - Kontinuierlicher Drainstrom
19 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand
240 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung
30 V
Maximale Betriebstemperatur
+ 150 C
Technologie
Si
Verpackung
Rohr
Kanalmodus
Erweiterung
Marke
Fairchild Semiconductor
Aufbau
Single
Abfallzeit
49 ns
Minimale Betriebstemperatur
- 55 C
Pd - Verlustleistung
215 W
Anstiegszeit
70 ns
Transistortyp
1 N-Channel
Typische Ausschaltverzögerungszeit
82 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit
31 ns
Gewichtseinheit
0.063493 oz
Tags
FDP1, FDP
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***Semiconductor
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 400V, 19A, 240mΩ, TO-220
***p One Stop Global
Trans MOSFET N-CH 400V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
***ure Electronics
N-Channel 400 V 240 mOhm Flange Mount Mosfet - TO-220
***i-Key
MOSFET N-CH 400V 19A TO-220
***ark
RAIL/MOSFET, UniFET, 400V
***inecomponents.com
MOSFET, UniFET, 400V
***rchild Semiconductor
UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
FDP19N40
DISTI # V79:2366_17796506		ON SemiconductorUF 400V 240MOHM TO220540
  • 5000:$1.1844
  • 3000:$1.2230
  • 1000:$1.3285
  • 100:$1.8467
  • 25:$2.0659
  • 10:$2.2954
  • 1:$2.9613
FDP19N40
DISTI # V36:1790_06359492		ON SemiconductorUF 400V 240MOHM TO2200
  • 1000000:$1.2190
  • 500000:$1.2230
  • 100000:$1.6080
  • 10000:$2.3360
  • 1000:$2.4600
FDP19N40
DISTI # FDP19N40-ND		ON SemiconductorMOSFET N-CH 400V 19A TO-220
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		900In Stock
  • 5000:$1.2816
  • 3000:$1.3309
  • 1000:$1.4295
  • 100:$2.0998
  • 25:$2.4648
  • 10:$2.6120
  • 1:$2.9100
FDP19N40
DISTI # 30250001		ON SemiconductorUF 400V 240MOHM TO220540
  • 13:$2.9613
FDP19N40
DISTI # FDP19N40		ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail - Rail/Tube (Alt: FDP19N40)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tube		Americas - 0
  • 10000:$0.6549
  • 6000:$0.6709
  • 4000:$0.6889
  • 2000:$0.7069
  • 1000:$0.7259
FDP19N40
DISTI # FDP19N40		ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail - Bulk (Alt: FDP19N40)
Min Qty: 194
Container: Bulk		Americas - 0
  • 1940:$1.4900
  • 194:$1.5900
  • 388:$1.5900
  • 582:$1.5900
  • 970:$1.5900
FDP19N40
DISTI # 07R8519		ON SemiconductorUF 400V 240MOHM TO220 / TUBE0
  • 10000:$1.2900
  • 2500:$1.3400
  • 1000:$1.4600
  • 500:$1.7400
  • 100:$1.9700
  • 10:$2.4300
  • 1:$3.0000
FDP19N40
DISTI # 512-FDP19N40		ON SemiconductorMOSFET UniFET, 400V
RoHS: Compliant		677
  • 1:$2.7700
  • 10:$2.3500
  • 100:$1.8800
  • 500:$1.6500
  • 1000:$1.3700
FDP19N40ON SemiconductorPower Field-Effect Transistor, 19A I(D), 400V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
RoHS: Compliant		1273
  • 1000:$1.4700
  • 500:$1.5500
  • 100:$1.6200
  • 25:$1.6800
  • 1:$1.8100
FDP19N40Fairchild Semiconductor CorporationPower Field-Effect Transistor, 19A I(D), 400V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
RoHS: Compliant		2180
  • 1000:$1.4700
  • 500:$1.5500
  • 100:$1.6200
  • 25:$1.6800
  • 1:$1.8100
FDP19N40Fairchild Semiconductor CorporationPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 19A I(D), 400V, 0.24OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB37
    Bild Teil # Beschreibung
    FDP18N20F

    Mfr.#: FDP18N20F

    OMO.#: OMO-FDP18N20F

    		 MOSFET 200V N-Channel
    FDP12N60NZ

    Mfr.#: FDP12N60NZ

    OMO.#: OMO-FDP12N60NZ

    		 MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
    FDP120AN15A0

    Mfr.#: FDP120AN15A0

    OMO.#: OMO-FDP120AN15A0

    		 MOSFET 150V 14a 0.120 Ohms/VGS=10V
    FDP100N10,FDP090N10,FDP036N10A,

    Mfr.#: FDP100N10,FDP090N10,FDP036N10A,

    OMO.#: OMO-FDP100N10-FDP090N10-FDP036N10A--1190

    		 Neu und Original
    FDP12N5ONZ

    Mfr.#: FDP12N5ONZ

    OMO.#: OMO-FDP12N5ONZ-1190

    		 Neu und Original
    FDP12N60N

    Mfr.#: FDP12N60N

    OMO.#: OMO-FDP12N60N-1190

    		 Neu und Original
    FDP14N30

    Mfr.#: FDP14N30

    OMO.#: OMO-FDP14N30-1190

    		 Neu und Original
    FDP15N60

    Mfr.#: FDP15N60

    OMO.#: OMO-FDP15N60-1190

    		 Neu und Original
    FDP18N50,FDPF18N50,FDPF1

    Mfr.#: FDP18N50,FDPF18N50,FDPF1

    OMO.#: OMO-FDP18N50-FDPF18N50-FDPF1-1190

    		 Neu und Original
    FDP18N50C/V2

    Mfr.#: FDP18N50C/V2

    OMO.#: OMO-FDP18N50C-V2-1190

    		 Neu und Original
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    1000
    Menge eingeben:
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    Referenzpreis (USD)
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    ext. Preis
    1
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    0,00 $
    10
    0,00 $
    0,00 $
    100
    0,00 $
    0,00 $
    500
    0,00 $
    0,00 $
    1000
    0,00 $
    0,00 $
    Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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