NTMFS4108NT3G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-FL-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

22 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.4 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.4 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.05 mm

Länge:

4.9 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

5.8 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

25 S

Abfallzeit:

140 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

60 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

70 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

45 ns

Tags

NTMFS4108NT, NTMFS4108N, NTMFS410, NTMFS41, NTMFS4, NTMFS, NTMF, NTM