TS13002ACT A3G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Taiwan Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

400 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

700 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

9 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

1.5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.3 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

4 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

24

Verpackung:

Munitionspackung

Marke:

Taiwan Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.3 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

12

Pd - Verlustleistung:

0.6 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

TS13002ACTA, TS13002A, TS13002, TS1300, TS130, TS13, TS1