RDN100N20

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

200 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

10 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

360 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

35 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Schüttgut

Höhe:

8 mm

Länge:

10 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.5 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Abfallzeit:

26 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

29 ns

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

38 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

13 ns

Teil # Aliase:

RDN100N20FU6

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

RDN100N, RDN10, RDN1, RDN