CMPDM203NH TR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Zentraler Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23F

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

33 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

600 mV

Qg - Gate-Ladung:

6.8 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

350 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

CMPDM2

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Zentraler Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

10.5 S

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

22.8 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6 ns

Teil # Aliase:

CMPDM203NH PBFREE TR

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

CMPDM, CMPD, CMP