FCX591AQTA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-89-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 40 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 40 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 7 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

- 0.5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

- 1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

150 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

800 at - 100 mA, - 5 V

Verpackung:

Spule

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 1 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

300 at - 100 mA, - 5 V

Pd - Verlustleistung:

1 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Qualifikation:

AEC-Q101

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

FCX591A, FCX591, FCX59, FCX5, FCX