BLV33

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Advanced Semiconductor, Inc.

Produktkategorie:

HF-Bipolartransistoren

RoHS:

Y

Transistortyp:

Bipolare Leistung

Technologie:

Si

Polarität des Transistors:

NPN

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

15

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

33 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

4 V

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

12.5 A

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 200 C

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

SOT-147

Verpackung:

Tablett

Arbeitsfrequenz:

224 MHz

Typ:

Bipolare HF-Leistung

Marke:

Advanced Semiconductor, Inc.

Maximaler DC-Kollektorstrom:

20 A

Pd - Verlustleistung:

132 W

Produktart:

HF-Bipolartransistoren

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

BLV3, BLV