IRF7233TRPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

12 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

9.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

20 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

49 nC

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

3.9 mm

Marke:

Infineon / IR

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Teil # Aliase:

SP001561984

Gewichtseinheit:

0.019048 oz

Tags

IRF7233TRP, IRF7233TR, IRF7233T, IRF7233, IRF723, IRF72, IRF7, IRF