BSS138NH6433XTMA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

230 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.2 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

600 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

1.4 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

360 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

2.9 mm

Serie:

BSS138

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

1.3 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

100 mS

Abfallzeit:

8.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3 ns

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

6.7 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

2.3 ns

Teil # Aliase:

BSS138N BSS138NH6433XT H6433 SP000924060

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

BSS138NH64, BSS138NH, BSS138N, BSS138, BSS13, BSS1, BSS