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SIR170DP-T1-RE3

SIR170DP-T1-RE3
Mfr. #:
SIR170DP-T1-RE3
Hersteller:
Vishay / Siliconix
Beschreibung:
MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SIR170DP-T1-RE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Vishay
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
E
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
SO-8
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
100 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
95 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
4 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
- 5.5 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
93 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Kanalmodus:
Erschöpfung
Handelsname:
TrenchFET
Verpackung:
Spule
Marke:
Vishay / Siliconix
Abfallzeit:
8 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
7 ns
Werkspackungsmenge:
3000
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
43 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
12 ns
Tags
SIR17, SIR1, SIR
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Bild Teil # Beschreibung
SIR170DP-T1-RE3

Mfr.#: SIR170DP-T1-RE3

OMO.#: OMO-SIR170DP-T1-RE3

 MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
Verfügbarkeit
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Available
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