IXTJ4N150

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1.5 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

6 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

44.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

110 W

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

21.34 mm

Länge:

6.13 mm

Serie:

IXTJ4N150

Typ:

Hochspannungs-Leistungs-MOSFET

Breite:

5.21 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2.8 S

Abfallzeit:

22 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

23 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

42 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

19 ns

Gewichtseinheit:

0.056438 oz

Tags

IXTJ, IXT