IRF530STRRPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

E

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220AB-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

14 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

160 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

26 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

88 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

IRF

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

5.1 S

Abfallzeit:

24 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

34 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

23 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Gewichtseinheit:

0.050717 oz

Tags

IRF530ST, IRF530S, IRF530, IRF53, IRF5, IRF