IPB05CN10N G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

100 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5.4 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

300 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.4 mm

Länge:

10 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.25 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

21 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

42 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

64 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

28 ns

Teil # Aliase:

IPB05CN10NGXT SP000096440

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

IPB05, IPB0, IPB