ISS17EP06LMXTSA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

- 60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

- 0.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.7 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

- 2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

- 1.79 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

0.36 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

ISS06P010

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.64 S

Abfallzeit:

9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

27 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

2 ns

Teil # Aliase:

ISS17EP06LM SP004987276

Tags

ISS1, ISS