PSMN019-100YLX

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

E

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

LFPAK56-5

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

56 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

14 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

72.4 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

167 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Nexperia

Abfallzeit:

34.3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

36.8 ns

Werkspackungsmenge:

1500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

59.6 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

18.5 ns

Tags

PSMN01, PSMN0, PSMN, PSM