2SD2211T100R

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

160 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

160 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

2 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1.5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

80 MHz

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

2SD2211

DC-Stromverstärkung hFE Max:

180 at 100 mA, 5 V

Höhe:

1.5 mm

Länge:

4.5 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

2.5 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

1.5 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

180

Pd - Verlustleistung:

2000 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.004603 oz

Tags

2SD2211T100R, 2SD2211T, 2SD2211, 2SD221, 2SD22, 2SD2, 2SD