SI5446DU-T1-GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerPAK-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

25 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5.4 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V, - 16 V

Qg - Gate-Ladung:

25.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

31 W

Aufbau:

Single

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Vishay / Siliconix

Abfallzeit:

8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

25 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

16 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8 ns

Gewichtseinheit:

0.017870 oz

Tags

SI544, SI54, SI5