FCU4300N80Z

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-251-3

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

800 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.3 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

8.8 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

27.8 W

Handelsname:

SuperFET II

Verpackung:

Rohr

Höhe:

6.3 mm

Länge:

6.8 mm

Serie:

FCU4300N80Z

Breite:

2.5 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.52 S

Abfallzeit:

16 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6.5 ns

Werkspackungsmenge:

1800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

21 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Gewichtseinheit:

0.012102 oz

Tags

FCU