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TGS2355

TGS2355
Mfr. #:
TGS2355
Hersteller:
Qorvo
Beschreibung:
RF Switch ICs .5-6GHz SPDT 100 Watt GaN
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TGS2355 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
TGS2355 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Qorvo
Produktkategorie:
HF-Schalt-ICs
RoHS:
Y
Anzahl der Schalter:
Single
Schalterkonfiguration:
SPDT
Arbeitsfrequenz:
0.5 GHz to 6 GHz
Einfügedämpfung:
1.3 dB
Aus Isolierung - Typ:
40 dB
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Montageart:
SMD/SMT
Verpackung:
Gel-Pack
Marke:
Qorvo
Hohe Steuerspannung:
- 48 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Betriebsversorgungsstrom:
1 mA
Pd - Verlustleistung:
36.8 W
Produktart:
HF-Schalt-ICs
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
Drahtlose und integrierte HF-Schaltungen
Teil # Aliase:
1097157
Tags
TGS2355, TGS235, TGS23, TGS2, TGS
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Switch, SPDT, 0.5 to 6 GHz,1.3 dB IL, 40 dB Isolation, 50 dBm Pwr Handling, DIE, GaN
TGS2355 High Power GaN Switch
Qorvo TGS2355 High Power GaN Switch is a single-pole, double-throw (SPDT) reflective switch that operates from 0.5 to 6GHz. Developed using Qorvo's 0.25um GaN on SiC production process, TGS2355 handles up to 100W input power with <1dB insertion loss over most of the operating band and greater than 40dB isolation. The TGS2355 is housed in a small 2.14 x 2.50mm die size and requires very little control current. The design enables easy system integration without impacting system power budgets. TGS2355 is ideally suited for high-power switching applications across both defense and commercial applications.Learn More
GaN Switches
Qorvo GaN Switches are suited for RF Switching applications and feature high breakdown voltages combined with the low on-resistance and off-state capacitance. This enables a dramatic increases in power handling. GaAs FET switches are widely used in the RF industry, and typically used for power levels on the order of a few watts or less. GaN FET's are able to use the same circuit architectures to handle power levels on the order of tens of watts.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TGS2355-SM
DISTI # 772-TGS2355-SM		QorvoRF Switch ICs .5-6GHz SPDT 100 Watt GaN
RoHS: Compliant		9
  • 1:$134.0000
  • 25:$115.0000
TGS2355
DISTI # 772-TGS2355		QorvoRF Switch ICs .5-6GHz SPDT 100 Watt GaN
RoHS: Compliant		0
  • 50:$89.0000
  • 100:$76.0000
TGS2355-SM_EVAL
DISTI # 772-TGS2355-SM_EVAL		QorvoSwitch Development Tools .5-6GHz Iso >25dB EVAL BOARD
RoHS: Compliant		0
  • 1:$1,172.0000
Bild Teil # Beschreibung
TGSAD-290V6LF

Mfr.#: TGSAD-290V6LF

OMO.#: OMO-TGSAD-290V6LF-1190

 Telecom Transformer 1:3 2500Vrms 0.8Ohm Prim. DCR Surface Mount - Rail/Tube (Alt: TGSAD-290V6LF)
TGS4310-SM

Mfr.#: TGS4310-SM

OMO.#: OMO-TGS4310-SM-285

 RF Switch ICs 13-19GHz SPDT 2 Watt IL
TGS2602-A00/B00

Mfr.#: TGS2602-A00/B00

OMO.#: OMO-TGS2602-A00-B00-1190

 Neu und Original
TGS2603

Mfr.#: TGS2603

OMO.#: OMO-TGS2603-1190

 Neu und Original
TGS3870-B00

Mfr.#: TGS3870-B00

OMO.#: OMO-TGS3870-B00-1190

 Neu und Original
TGS4305

Mfr.#: TGS4305

OMO.#: OMO-TGS4305-1190

 Neu und Original
TGSDRH6D38P-4R7N

Mfr.#: TGSDRH6D38P-4R7N

OMO.#: OMO-TGSDRH6D38P-4R7N-1190

 Neu und Original
TGSP-5796ERTR

Mfr.#: TGSP-5796ERTR

OMO.#: OMO-TGSP-5796ERTR-1190

 Neu und Original
TGSP-CIS2NXRL

Mfr.#: TGSP-CIS2NXRL

OMO.#: OMO-TGSP-CIS2NXRL-1190

 Neu und Original
TGSP-RF06NS8RL

Mfr.#: TGSP-RF06NS8RL

OMO.#: OMO-TGSP-RF06NS8RL-1190

 Neu und Original
Verfügbarkeit
Aktie:
50
Auf Bestellung:
2033
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
50
89,00 $
4 450,00 $
100
76,00 $
7 600,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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