APT8020B2LLG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-264-3

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

800 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

38 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

200 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

195 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

694 W

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

POWER MOS 7

Verpackung:

Rohr

Höhe:

5.21 mm

Länge:

26.49 mm

Breite:

20.5 mm

Marke:

Mikrochip / Mikrosemi

Abfallzeit:

9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

14 ns

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

39 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Gewichtseinheit:

0.373904 oz

Tags

APT8020B, APT8020, APT802, APT80, APT8, APT