DMG5802LFX-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

W-DFN5020-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

24 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

11 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

600 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

31.3 nC, 31.3 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

980 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

DMG5802

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

22.45 ns, 22.45 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

13.43 ns, 13.43 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

32.18 ns, 32.18 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.69 ns, 3.69 ns

Gewichtseinheit:

0.000600 oz

Tags

DMG5, DMG