FDZ201N

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

BGA-12

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

9 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

18 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.6 mm

Länge:

2.5 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

2 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

33 S

Abfallzeit:

8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

11 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

26 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8 ns

Teil # Aliase:

FDZ201N_NL

Tags

FDZ20, FDZ2, FDZ