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RN1313,LF

RN1313,LF
Mfr. #:
RN1313,LF
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT 0.1A 50V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
RN1313,LF Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
Bipolartransistoren – vorgespannt
RoHS:
Y
Aufbau:
Single
Polarität des Transistors:
NPN
Typischer Eingangswiderstand:
47 kOhms
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
SOT-323-3
DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:
120
Maximale Betriebsfrequenz:
250 MHz
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
50 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom:
100 mA
Spitzen-DC-Kollektorstrom:
100 mA
Pd - Verlustleistung:
150 mW
Maximale Betriebstemperatur:
+ 125 C
Serie:
RN1313
Verpackung:
Spule
Emitter- Basisspannung VEBO:
5 V
Marke:
Toshiba
Kanalmodus:
Erweiterung
Maximaler DC-Kollektorstrom:
100 mA
Produktart:
BJTs – Bipolartransistoren – Vorgespannt
Werkspackungsmenge:
3000
Unterkategorie:
Transistoren
Gewichtseinheit:
0.000212 oz
Tags
RN1313, RN131, RN13, RN1
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
Bild Teil # Beschreibung
RN1314TE85LF

Mfr.#: RN1314TE85LF

OMO.#: OMO-RN1314TE85LF-1190

 Neu und Original
RN1301LFCT-ND

Mfr.#: RN1301LFCT-ND

OMO.#: OMO-RN1301LFCT-ND-1190

 Neu und Original
RN1306LFDKR-ND

Mfr.#: RN1306LFDKR-ND

OMO.#: OMO-RN1306LFDKR-ND-1190

 Neu und Original
RN1306LFTR-ND

Mfr.#: RN1306LFTR-ND

OMO.#: OMO-RN1306LFTR-ND-1190

 Neu und Original
RN1308LFTR-ND

Mfr.#: RN1308LFTR-ND

OMO.#: OMO-RN1308LFTR-ND-1190

 Neu und Original
RN1311LF-ND

Mfr.#: RN1311LF-ND

OMO.#: OMO-RN1311LF-ND-1190

 Neu und Original
RN1314(TE85LF)DKR-ND

Mfr.#: RN1314(TE85LF)DKR-ND

OMO.#: OMO-RN1314-TE85LF-DKR-ND-1190

 Neu und Original
RN1317(TE85LF)CT-ND

Mfr.#: RN1317(TE85LF)CT-ND

OMO.#: OMO-RN1317-TE85LF-CT-ND-1190

 Neu und Original
RN1304RXGF

Mfr.#: RN1304RXGF

OMO.#: OMO-RN1304RXGF-1190

 Neu und Original
RN1317

Mfr.#: RN1317

OMO.#: OMO-RN1317-1190

 Neu und Original
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Available
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