FQB10N50CFTM-WS

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

10 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

610 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

45 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

143 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.83 mm

Länge:

10.67 mm

Serie:

FQB10N50CFTM

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.65 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

55 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

47 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

138 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

25 ns

Teil # Aliase:

FQB10N50CFTM_WS

Gewichtseinheit:

0.046296 oz

Tags

FQB10N50CF, FQB10N5, FQB10N, FQB10, FQB1, FQB