IRF1324STRLPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

24 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

340 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.3 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

160 nC

Pd - Verlustleistung:

300 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.3 mm

Länge:

6.5 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

6.22 mm

Marke:

Infineon / IR

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Teil # Aliase:

SP001550888

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

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