CGHV60170D

CGHV60170D
Mfr. #:
CGHV60170D
Hersteller:
N/A
Beschreibung:
RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
CGHV60170D Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Qorvo
Produktkategorie:
HF-JFET-Transistoren
RoHS:
Y
Technologie:
GaN SiC
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
32 V
Vgs - Gate-Source-Durchbruchspannung:
100 V
Pd - Verlustleistung:
45 W
Montageart:
SMD/SMT
Verpackung:
Tablett
Aufbau:
Single
Höhe:
4.064 mm
Länge:
9.652 mm
Breite:
5.842 mm
Marke:
Qorvo
Gate-Source-Abschaltspannung:
- 2.9 V
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
HF-JFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
Transistoren
Teil # Aliase:
1092444
Tags
CGHV6, CGHV, CGH
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Packaging Boxes
***i-Key
RF MOSFET HEMT 50V DIE
GaN HEMTs
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
CGHV60170D-GP4
DISTI # CGHV60170D-GP4-ND
WolfspeedRF MOSFET HEMT 50V DIE
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tray
10In Stock
  • 10:$156.7360
CGHV60170D
DISTI # 941-CGHV60170D
Cree, Inc.RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
RoHS: Compliant
40
  • 10:$156.4900
CGHV60170D-GP4
DISTI # CGHV60170D-GP4
WolfspeedRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant
0
  • 50:$156.7400
Bild Teil # Beschreibung
CGHV60040D

Mfr.#: CGHV60040D

OMO.#: OMO-CGHV60040D

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
CGHV60075D5

Mfr.#: CGHV60075D5

OMO.#: OMO-CGHV60075D5

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
CGHV60170D

Mfr.#: CGHV60170D

OMO.#: OMO-CGHV60170D

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
CGHV60040D-GP4

Mfr.#: CGHV60040D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV60040D-GP4-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 50V DIE
CGHV60075D5-GP4

Mfr.#: CGHV60075D5-GP4

OMO.#: OMO-CGHV60075D5-GP4-WOLFSPEED

RF POWER TRANSISTOR
CGHV60170D-GP4

Mfr.#: CGHV60170D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV60170D-GP4-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 50V DIE
CGHV60040D

Mfr.#: CGHV60040D

OMO.#: OMO-CGHV60040D-318

RF JFET Transistors DC-6GHz 40W GaN 50Volt
CGHV60170D

Mfr.#: CGHV60170D

OMO.#: OMO-CGHV60170D-318

RF JFET Transistors DC-6GHz 170W GaN 50Volt
CGHV60075D5

Mfr.#: CGHV60075D5

OMO.#: OMO-CGHV60075D5-318

RF JFET Transistors 6.0GHz 75 Watt GaN Gain 17dB typ. 50V
CGHV60075D

Mfr.#: CGHV60075D

OMO.#: OMO-CGHV60075D-318

RF JFET Transistors 6.0GHz 75 Watt GaN Gain 17dB typ. 50V
Verfügbarkeit
Aktie:
40
Auf Bestellung:
2023
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