2DB1132Q-13

2DB1132Q-13
Mfr. #:
2DB1132Q-13
Hersteller:
Diodes Incorporated
Beschreibung:
Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
2DB1132Q-13 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
2DB1132Q-13 Datasheet2DB1132Q-13 Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Eingebaute Dioden
Produktkategorie:
Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Y
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
SOT-89-3
Polarität des Transistors:
PNP
Aufbau:
Single
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
- 32 V
Kollektor- Basisspannung VCBO:
- 40 V
Emitter- Basisspannung VEBO:
- 5 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
- 125 mV
Maximaler DC-Kollektorstrom:
- 1 A
Bandbreitenprodukt fT gewinnen:
190 MHz
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Serie:
2DB11
Höhe:
1.5 mm
Länge:
4.5 mm
Verpackung:
Spule
Breite:
2.48 mm
Marke:
Eingebaute Dioden
DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:
120
Pd - Verlustleistung:
1000 mW
Produktart:
BJTs - Bipolartransistoren
Qualifikation:
AEC-Q101
Werkspackungsmenge:
2500
Unterkategorie:
Transistoren
Gewichtseinheit:
0.001834 oz
Tags
2DB113, 2DB11, 2DB1, 2DB
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ical
Trans GP BJT PNP 32V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
***des Inc SCT
PNP, 32V, 1A, SOT89,190MHz
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
2DB1132Q-13
DISTI # 2DB1132QDICT-ND
Diodes IncorporatedTRANS PNP 32V 1A SOT89-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)
Limited Supply - Call
    2DB1132Q-13
    DISTI # 2DB1132QDIDKR-ND
    Diodes IncorporatedTRANS PNP 32V 1A SOT89-3
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Digi-Reel®
    Limited Supply - Call
      2DB1132Q-13
      DISTI # 2DB1132QDITR-ND
      Diodes IncorporatedTRANS PNP 32V 1A SOT89-3
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 2500
      Container: Tape & Reel (TR)
      Temporarily Out of Stock
      • 2500:$0.1612
      2DB1132Q-13
      DISTI # 2DB1132Q-13
      Diodes IncorporatedTrans GP BJT PNP 32V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R - Tape and Reel (Alt: 2DB1132Q-13)
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 2500
      Container: Reel
      Americas - 0
      • 2500:$0.0839
      • 5000:$0.0799
      • 10000:$0.0759
      • 15000:$0.0729
      • 25000:$0.0709
      2DB1132Q-13
      DISTI # 621-2DB1132Q-13
      Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo
      RoHS: Compliant
      1770
      • 1:$0.4700
      • 10:$0.3550
      • 100:$0.1920
      • 1000:$0.1440
      • 2500:$0.1240
      • 10000:$0.1160
      Bild Teil # Beschreibung
      2DB1132Q-13

      Mfr.#: 2DB1132Q-13

      OMO.#: OMO-2DB1132Q-13

      Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo
      2DB1119S-13

      Mfr.#: 2DB1119S-13

      OMO.#: OMO-2DB1119S-13

      Bipolar Transistors - BJT PNP 2.5K BIPOLAR
      2DB1182Q-13

      Mfr.#: 2DB1182Q-13

      OMO.#: OMO-2DB1182Q-13

      Bipolar Transistors - BJT 32V PNP Trans -40V 10W -32V VCEO -2A
      2DB1132P-13

      Mfr.#: 2DB1132P-13

      OMO.#: OMO-2DB1132P-13

      Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo
      2DB1188P-13

      Mfr.#: 2DB1188P-13

      OMO.#: OMO-2DB1188P-13-DIODES

      Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo
      2DB1132P-13

      Mfr.#: 2DB1132P-13

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      Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo
      2DB1132Q-13

      Mfr.#: 2DB1132Q-13

      OMO.#: OMO-2DB1132Q-13-DIODES

      Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo
      2DB1132R-13

      Mfr.#: 2DB1132R-13

      OMO.#: OMO-2DB1132R-13-DIODES

      Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo
      2DB1188Q13

      Mfr.#: 2DB1188Q13

      OMO.#: OMO-2DB1188Q13-1190

      Neu und Original
      2DB1188R

      Mfr.#: 2DB1188R

      OMO.#: OMO-2DB1188R-1190

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      Available
      Auf Bestellung:
      1984
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      0,47 $
      0,47 $
      10
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      3,55 $
      100
      0,19 $
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