BUK9Y7R2-60E,115

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

LFPAK56-5

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

100 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5.4 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.7 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

15 V

Qg - Gate-Ladung:

35 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

167 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Nexperia

Abfallzeit:

32.1 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

36.4 ns

Werkspackungsmenge:

1500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

49.4 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

19.3 ns

Gewichtseinheit:

0.002885 oz

Tags

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