TK12A80W,S4X

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220SIS-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

800 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

11.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

380 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

23 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

45 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

DTMOSIV

Serie:

TK12A80W

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Toshiba

Abfallzeit:

11 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

40 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

130 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

70 ns

Gewichtseinheit:

0.068784 oz

Tags

TK12A8, TK12A, TK12, TK1