ZXMP3F35N8TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

12.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

12 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.8 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Höhe:

1.5 mm

Länge:

5 mm

Transistortyp:

2 P-Channel

Breite:

4 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

55.6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9.9 ns

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

103 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.4 ns

Gewichtseinheit:

0.017870 oz

Tags

ZXMP3F35, ZXMP3F, ZXMP3, ZXMP, ZXM