BR25L080FVT-WE2

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

EEPROM

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSSOP-B-8

Speichergröße:

8 kbit

Organisation:

1 k x 8

Oberflächentyp:

Serial, 4-Wire, SDI, SPI

Vorratsdatenspeicherung:

40 Year

Maximale Taktfrequenz:

2 MHz

Versorgungsstrom - Max.:

3 mA

Versorgungsspannung - Min.:

1.8 V

Versorgungsspannung - Max.:

5.5 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 40 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 85 C

Serie:

BR25L080-W

Verpackung:

Spule

Höhe:

1 mm

Länge:

4.4 mm

Breite:

3 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Betriebsversorgungsstrom:

3 mA

Betriebsversorgungsspannung:

2.5 V, 3.3 V, 5 V

Produktart:

EEPROM

Programmierspannung:

1.8 V to 5.5 V

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Speicher & Datenspeicherung

Teil # Aliase:

BR25L080FVT-W

Tags

BR25L080FVT, BR25L080FV, BR25L08, BR25L0, BR25L, BR25, BR2