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SPU02N60S5

SPU02N60S5
Mfr. #:
SPU02N60S5
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 600V 1.8A IPAK-3 CoolMOS S5
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SPU02N60S5 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-251-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
600 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
1.8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
3 Ohms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
3.5 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
7.3 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
25 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
CoolMOS
Verpackung:
Rohr
Höhe:
6.22 mm
Länge:
6.73 mm
Serie:
CoolMOS S5
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
2.38 mm
Marke:
Infineon-Technologien
Abfallzeit:
20 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
35 ns
Werkspackungsmenge:
1500
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
35 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
35 ns
Teil # Aliase:
SP000012422 SPU02N60S5BKMA1 SPU2N6S5XK
Gewichtseinheit:
0.139332 oz
Tags
SPU02N60S, SPU02N6, SPU02N, SPU02, SPU0, SPU
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 600V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-251
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 600V 1.8A 3-Pin TO-252 T/R
***i-Key
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-251
***ronik
N-CH 600V 2A 3000mOhm TO251-3
***ineon
Summary of Features: Innovative high voltage technology; Worldwide best R DS(on) in TO-251 and TO-252; Ultra low gate charge; Periodic avalanche rated; Extreme dv/dt rated; Ultra low effective capacitances; Improved transconductance
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SPU02N60S5BKMA1
DISTI # SPU02N60S5BKMA1-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 600V 1.8A TO-251
RoHS: Compliant
Min Qty: 1500
Container: Tube		Limited Supply - Call
    SPU02N60S5
    DISTI # SP000012422    		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 600V 1.8A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: SP000012422)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Tape and Reel    		Europe - 1500
    • 1:€0.8299
    • 10:€0.6469
    • 25:€0.5779
    • 50:€0.5259
    • 100:€0.5109
    • 500:€0.4999
    • 1000:€0.4929
    SPU02N60S5BKMA1
    DISTI # SPU02N60S5BKMA1    		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 600V 1.8A 3-Pin TO-252 T/R - Rail/Tube (Alt: SPU02N60S5BKMA1)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1500
    Container: Tube    		Americas - 0
    • 1500:$0.5449
    • 3000:$0.5259
    • 6000:$0.5069
    • 9000:$0.4899
    • 15000:$0.4809
    SPU02N60S5
    DISTI # 726-SPU02N60S5    		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 600V 1.8A IPAK-3 CoolMOS S5
    RoHS: Compliant    		0
    • 1:$1.2500
    • 10:$1.0700
    • 100:$0.8150
    • 500:$0.7200
    • 1000:$0.5690
    SPU02N60S5BKMA1
    DISTI # N/A    		Infineon Technologies AGMOSFET LOW POWER_LEGACY0
      SPU02N60S5Infineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 600V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
      RoHS: Compliant      		141
      • 1000:$0.5000
      • 500:$0.5300
      • 100:$0.5500
      • 25:$0.5700
      • 1:$0.6200
      SPU02N60S5XKInfineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 600V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
      RoHS: Not Compliant      		1495
      • 1000:$0.5000
      • 500:$0.5300
      • 100:$0.5500
      • 25:$0.5700
      • 1:$0.6200
      Bild Teil # Beschreibung
      SPU02L-12

      Mfr.#: SPU02L-12

      OMO.#: OMO-SPU02L-12-MEAN-WELL

      		 Isolated DC/DC Converters 2W 5VIN 12VOUT
      SPU02L-05

      Mfr.#: SPU02L-05

      OMO.#: OMO-SPU02L-05-MEAN-WELL

      		 Isolated DC/DC Converters 2W 5VIN 5VOUT
      SPU02M-05

      Mfr.#: SPU02M-05

      OMO.#: OMO-SPU02M-05-MEAN-WELL

      		 Isolated DC/DC Converters 2W 12VIN 5VOUT
      SPU02M-15

      Mfr.#: SPU02M-15

      OMO.#: OMO-SPU02M-15-MEAN-WELL

      		 Isolated DC/DC Converters 2W 12VIN 15VOUT
      SPU02M-12

      Mfr.#: SPU02M-12

      OMO.#: OMO-SPU02M-12-MEAN-WELL

      		 Isolated DC/DC Converters 2W 12VIN 12VOUT
      SPU02N60S5

      Mfr.#: SPU02N60S5

      OMO.#: OMO-SPU02N60S5-126

      		 IGBT Transistors MOSFET N-Ch 600V 1.8A IPAK-3 CoolMOS S5
      SPU02N60S5BKMA1

      Mfr.#: SPU02N60S5BKMA1

      OMO.#: OMO-SPU02N60S5BKMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

      		 MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-251
      SPU02N60S5XK

      Mfr.#: SPU02N60S5XK

      OMO.#: OMO-SPU02N60S5XK-1190

      		 Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 600V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
      SPU02N70

      Mfr.#: SPU02N70

      OMO.#: OMO-SPU02N70-1190

      		 Neu und Original
      SPU02N80C3

      Mfr.#: SPU02N80C3

      OMO.#: OMO-SPU02N80C3-1190

      		 Neu und Original
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      1500
      Menge eingeben:
      Der aktuelle Preis von SPU02N60S5 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
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      1
      1,24 $
      1,24 $
      10
      1,06 $
      10,60 $
      100
      0,82 $
      81,50 $
      500
      0,72 $
      360,00 $
      1000
      0,57 $
      569,00 $
      Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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