DMP56D0UFB-7B

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

X1-DFN1006-3

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

50 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

200 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

6 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

580 pC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

425 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

DMP56

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

100 mS

Abfallzeit:

15 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6.63 ns

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

21.9 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.46 ns

Tags

DMP56D0UF, DMP56, DMP5, DMP