APT50GN60BDQ2G

APT50GN60BDQ2G
Mfr. #:
APT50GN60BDQ2G
Hersteller:
Microchip / Microsemi
Beschreibung:
IGBT Transistors
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
APT50GN60BDQ2G Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Microsemi Corporation
Produktkategorie
IGBTs - Single
Serie
-
Verpackung
Rohr
Gewichtseinheit
1.340411 oz
Montageart
Durchgangsloch
Paket-Koffer
TO-247-3
Eingabetyp
Standard
Befestigungsart
Durchgangsloch
Lieferanten-Geräte-Paket
TO-247 [B]
Aufbau
Single
Leistung max
366W
Reverse-Recovery-Time-trr
-
Strom-Kollektor-Ic-Max
107A
Spannungs-Kollektor-Emitter-Breakdown-Max
600V
IGBT-Typ
Grabenfeldstopp
Strom-Kollektor-gepulster-Icm
150A
Vce-on-Max-Vge-Ic
1.85V @ 15V, 50A
Schaltenergie
1185μJ (on), 1565μJ (off)
Gate-Gebühr
325nC
Td-ein-aus-25°C
20ns/230ns
Testbedingung
400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V
Pd-Verlustleistung
366 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 175 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Kollektor-Emitter-Spannung-VCEO-Max
600 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.5 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom-bei-25-C
107 A
Gate-Emitter-Leckstrom
600 nA
Maximale Gate-Emitter-Spannung
30 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom-Ic-Max
107 A
Tags
APT50GN60BDQ, APT50GN60BD, APT50GN6, APT50GN, APT50G, APT50, APT5, APT
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Anti-Static Bag
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Packaging Boxes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
APT50GN60BDQ2G
DISTI # APT50GN60BDQ2G-ND
Microsemi CorporationIGBT 600V 107A 366W TO247
RoHS: Compliant
Min Qty: 90
Container: Tube
Temporarily Out of Stock
  • 90:$6.4330
APT50GN60BDQ2G
DISTI # 494-APT50GN60BDQ2G
Microsemi CorporationIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
RoHS: Compliant
93
  • 1:$7.3200
  • 10:$6.5900
  • 25:$6.0000
  • 100:$5.4200
  • 250:$4.9400
  • 500:$4.5100
  • 1000:$3.9400
APT50GN60BDQ2G
DISTI # APT50GN60BDQ2G
Microsemi CorporationPOWER IGBT TRANSISTOR
RoHS: Compliant
125
  • 1:$3.8100
  • 500:$3.7100
Bild Teil # Beschreibung
APT50GN60BG

Mfr.#: APT50GN60BG

OMO.#: OMO-APT50GN60BG

IGBT Transistors FG, IGBT, 600V, TO-247, RoHS
APT50GN60BDQ2G

Mfr.#: APT50GN60BDQ2G

OMO.#: OMO-APT50GN60BDQ2G

IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS
APT50GN120L2DQ2G

Mfr.#: APT50GN120L2DQ2G

OMO.#: OMO-APT50GN120L2DQ2G

IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-264 MAX, RoHS
APT50GN60BG

Mfr.#: APT50GN60BG

OMO.#: OMO-APT50GN60BG-MICROSEMI

IGBT Transistors
APT50GN120L2DQ2G

Mfr.#: APT50GN120L2DQ2G

OMO.#: OMO-APT50GN120L2DQ2G-MICROSEMI

IGBT Transistors
APT50GN120B2G

Mfr.#: APT50GN120B2G

OMO.#: OMO-APT50GN120B2G-MICROSEMI

IGBT 1200V 134A 543W TO-247
APT50GN120B2

Mfr.#: APT50GN120B2

OMO.#: OMO-APT50GN120B2-1190

Neu und Original
APT50GN120L2DQ2

Mfr.#: APT50GN120L2DQ2

OMO.#: OMO-APT50GN120L2DQ2-1190

Neu und Original
APT50GN60BD

Mfr.#: APT50GN60BD

OMO.#: OMO-APT50GN60BD-1190

Neu und Original
APT50GN60BDQ2G   IKW50N6

Mfr.#: APT50GN60BDQ2G IKW50N6

OMO.#: OMO-APT50GN60BDQ2G-IKW50N6-1190

Neu und Original
Verfügbarkeit
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Available
Auf Bestellung:
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Menge
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1
5,56 $
5,56 $
10
5,29 $
52,87 $
100
5,01 $
500,85 $
500
4,73 $
2 365,15 $
1000
4,45 $
4 452,00 $
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