DMN3110S-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

73 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

8.6 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

740 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

DMN31

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

4.8 mS

Abfallzeit:

2.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.6 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13.1 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

2.6 ns

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

DMN311, DMN31, DMN3, DMN