NSS20600CF8T1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

1206A

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 20 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 20 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

7 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

- 0.16 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

6 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

100 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Höhe:

1.05 mm

Länge:

3.05 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.65 mm

Marke:

ON Semiconductor

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 6 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

250

Pd - Verlustleistung:

830 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

NSS2, NSS